ඉහළ සංශුද්ධතාවය Gallium

විස්තර

ඉහළ සංශුද්ධතාවය Gallium. තනුක අම්ලය සමඟ සෙමින්.දිශානුගත ස්ඵටිකීකරණ ක්‍රමයේ පිරිසිදු කිරීමේ ක්‍රියාවලිය මගින් ලෝහ ගැලියම් 99.999%, 99.9999% සහ 99.99999% 5N 6N 7N දක්වා පිරිසිදු කෙරේ.99.999%, 99.9999% සහ 99.99999% 5N 6N 7N වෙස්ටර්න් මින්මෙටල්ස් (SC) සංස්ථාවේ ඉහළ සංශුද්ධතාවය Gallium, 100g, 500g හෝ 1000g බරින් යුත් බහාලුම් ආකාරයෙන් ලබා දිය හැකි අතර, එය වියළි ආරක්‍ෂාවට සහ සුදුසු ප්‍රවාහනය සඳහා ඇසුරුම් කර ඇත. අයිස් ආරක්ෂණය, හෝ පරිපූර්ණ විසඳුම වෙත ළඟා වීමට අභිරුචි කළ පිරිවිතර ලෙස.

අයදුම්පත්

Gallium Arsenide GaAs, Gallium Phosphide GaP, Gallium Antimonide GaSb, නිල් Gallium Nitride GaN, මයික්‍රෝවේව් පරිපථය, අධි සංශුද්ධතාවයෙන් යුත් මිශ්‍ර ලෝහ, ඕරොක්සයිඩ් අර්ධ සන්නායක, ඕරොක්සයිඩ් අර්ධ සන්නායක වැනි III-V සංයෝග අර්ධ සන්නායක නිෂ්පාදනය සඳහා අධි සංශුද්ධතාවය Gallium මූලික වශයෙන් භාවිතා වේ. පරමාණුක ප්‍රතික්‍රියාකාරකයේ වාහකය සහ අණුක කදම්භ එපිටැක්සි (MBE) ප්‍රභව ද්‍රව්‍ය ලෙස, සහ ජර්මනියම් සහ සිලිකන් තනි ස්ඵටික වර්ධනයේ මාත්‍රාව ලෙස.

දැන් විමසන්න

විස්තර

ටැග්

තාක්ෂණික පිරිවිතර

Ga

පරමාණුක අංකය	31
පරමාණුක බර	67.2
ඝනත්වය	5.91g/cm3
ද්රවාංකය	29.78°C
තාපාංකය	2403°C
CAS අංකය	7440-55-3
HS කේතය	8112.9290.99

වෙළඳ භාණ්ඩයක්	සම්මත පිරිවිතර
	පිරිසිදුකම		අපිරිසිදුකම (ICP-MS හෝ GDMS පරීක්ෂණ වාර්තාව, PPM මැක්ස් එක් එක්)
ඉහළ සංශුද්ධතාවය ගැලියම්	5N	99.999%	Zn/Ca/Al/Ni/In 0.5, Mg/Mn 0.6, Si/Hg 1.0, Sn/Fe 0.8, Cu 1.5, Pb 1.8	එකතුව ≤10
	6N	99.9999%	Zn/Mg/Pb/Sn/Fe 0.1, Si 0.2, Cu/Al/Ni/Mn/Cr 0.05	එකතුව ≤1.0
	7N	99.99999%	Zn/Al/Ni/In 0.001, Mn 0.003, Cu/Ca/Mg/Pb/Sn 0.005, Si 0.05	එකතුව ≤0.1
	ප්රමාණය		කන්ටේනරයක හැඩයෙන්, බෝතලයකට ග්‍රෑම් 100/500/ග්‍රෑම් 1000
	ඇසුරුම් කිරීම		ප්ලාස්ටික් බෝතලයක හෝ පිටත නිල් අයිස්, පෙට්ටි පෙට්ටිය හෝ යකඩ බෙර සහිත සංයුක්ත බෑගයක.

ඉහළ සංශුද්ධතාවය GalliumWestern Minmetals (SC) Corporation හි 5N 6N 7N 99.999%, 99.9999% සහ 99.99999% සංශුද්ධතාවයෙන් යුක්තව 100g, 500g හෝ 1000g බරින් යුත් බහාලුම් ස්වරූපයෙන් ලබා දිය හැකි අතර, එය ආරක්ෂිත සහ සුදුසු ප්‍රවාහනය සඳහා අසුරා ඇත. හෝ පරිපූර්ණ විසඳුම වෙත ළඟා වීමට අභිරුචි කළ පිරිවිතර ලෙස.

ඉහළ සංශුද්ධතාවය Gallium99.999%, 99.9999% සහ 99.99999% ප්‍රධාන වශයෙන් Gallium Arsenide GaAs, Gallium Phosphide GaP, Gallium Antimonide GaSb, නිල්, Gallium Nitride, highcon Nitride gaNide, highcon Nitride පරිපථය වැනි III-V සංයෝග අර්ධ සන්නායක නිෂ්පාදනය සඳහා භාවිතා වේ. සහ LED චිපය, පරමාණුක ප්‍රතික්‍රියාකාරකයේ තාප වාහකය සහ අණුක කදම්භ එපිටැක්සි (MBE) ප්‍රභව ද්‍රව්‍ය ලෙස, සහ ජර්මේනියම් තනි ස්ඵටික සහ සිලිකන් තනි ස්ඵටික වර්ධනයේ මාත්‍රාව ලෙස.