Gallium Arsenide GaAs

විස්තර

Gallium ArsenideGaAs a III-V කාණ්ඩයේ සෘජු කලාප පරතරය සංයෝග අර්ධ සන්නායක අවම වශයෙන් 6N 7N ඉහළ සංශුද්ධතාවයකින් යුත් ගැලියම් සහ ආසනික් මූලද්‍රව්‍ය මගින් සංස්ලේෂණය කරන ලද අතර, VGF හෝ LEC ක්‍රියාවලිය මගින් ඉහළ සංශුද්ධතාවයකින් යුත් බහු ස්ඵටික ගැලියම් ආසනයිඩ්, අළු වර්ණ පෙනුම, සින්ක් මිශ්‍ර ව්‍යුහය සහිත ඝන ස්ඵටික වලින් වැඩුණු ස්ඵටිකයකි.පිළිවෙලින් n-වර්ගය හෝ p-වර්ගය සහ අර්ධ පරිවාරක සන්නායකතාවය ලබා ගැනීම සඳහා කාබන්, සිලිකන්, ටෙලුරියම් හෝ සින්ක් මාත්‍රණය කිරීමත් සමඟ, සිලින්ඩරාකාර InAs ස්ඵටිකයක් කපා හිස් සහ වේෆර් ලෙස කපා, කැටයම්, ඔප දැමූ හෝ එපි ලෙස සකස් කළ හැකිය. - MBE හෝ MOCVD epitaxial වර්ධනය සඳහා සූදානම්.Gallium Arsenide වේෆරය ප්‍රධාන වශයෙන් අධෝරක්ත ආලෝක විමෝචක ඩයෝඩ, ලේසර් ඩයෝඩ, දෘශ්‍ය කවුළු, ක්ෂේත්‍ර-ප්‍රයෝග ට්‍රාන්සිස්ටර FET, රේඛීය ඩිජිටල් අයිසී සහ සූර්ය කෝෂ වැනි ඉලෙක්ට්‍රොනික උපාංග නිපදවීමට භාවිතා කරයි.GaAs සංරචක අතිශය ඉහළ රේඩියෝ සංඛ්‍යාත සහ වේගවත් ඉලෙක්ට්‍රොනික මාරු කිරීමේ යෙදුම, දුර්වල-සංඥා විස්තාරණ යෙදුම් සඳහා ප්‍රයෝජනවත් වේ.තවද, Gallium Arsenide උපස්ථරය RF සංරචක, මයික්‍රෝවේව් සංඛ්‍යාත සහ මොනොලිතික් IC නිෂ්පාදනය සඳහා කදිම ද්‍රව්‍යයක් වන අතර එහි සංතෘප්ත ශාලාවේ සංචලතාව, ඉහළ බලය සහ උෂ්ණත්ව ස්ථායිතාව සඳහා දෘශ්‍ය සන්නිවේදන සහ පාලන පද්ධතිවල LED උපාංග.

භාරදීම

Western Minmetals (SC) Corporation හි Gallium Arsenide GaAs, 2” 3” 4” සහ 6” (50mm, ප්‍රමාණයේ කැපූ, කැටයම් කරන ලද, ඔප දැමූ, හෝ අපි-සූදානම් වූ වේෆර්වල බහු ස්ඵටික තලයක් හෝ තනි ස්ඵටික වේෆරයක් ලෙස සැපයිය හැකිය. 75mm, 100mm, 150mm) විෂ්කම්භය, p-type, n-type හෝ අර්ධ පරිවාරක සන්නායකතාවය, සහ <111> හෝ <100> දිශානතිය.අභිරුචිකරණය කළ පිරිවිතර ලොව පුරා සිටින අපගේ ගනුදෙනුකරුවන්ට පරිපූර්ණ විසඳුමකි.

දැන් විමසන්න

විස්තර

ටැග්

තාක්ෂණික පිරිවිතර

Gallium Arsenide

GaAs

Gallium Arsenide GaAsඅධෝරක්ත ආලෝක විමෝචක ඩයෝඩ, ලේසර් ඩයෝඩ, දෘශ්‍ය කවුළු, ක්ෂේත්‍ර-ප්‍රයෝග ට්‍රාන්සිස්ටර FET, ඩිජිටල් අයිසී රේඛීය සහ සූර්ය කෝෂ වැනි ඉලෙක්ට්‍රොනික උපාංග නිපදවීමට වේෆර් ප්‍රධාන වශයෙන් යොදා ගනී.GaAs සංරචක අතිශය ඉහළ රේඩියෝ සංඛ්‍යාත සහ වේගවත් ඉලෙක්ට්‍රොනික මාරු කිරීමේ යෙදුම, දුර්වල-සංඥා විස්තාරණ යෙදුම් සඳහා ප්‍රයෝජනවත් වේ.තවද, Gallium Arsenide උපස්ථරය RF සංරචක, මයික්‍රෝවේව් සංඛ්‍යාත සහ මොනොලිතික් IC නිෂ්පාදනය සඳහා කදිම ද්‍රව්‍යයක් වන අතර එහි සංතෘප්ත ශාලාවේ සංචලතාව, ඉහළ බලය සහ උෂ්ණත්ව ස්ථායිතාව සඳහා දෘශ්‍ය සන්නිවේදන සහ පාලන පද්ධතිවල LED උපාංග.

නැත.	අයිතම	සම්මත පිරිවිතර
1	ප්රමාණය	2"	3"	4"	6"
2	විෂ්කම්භය මි.මී	50.8± 0.3	76.2±0.3	100± 0.5	150± 0.5
3	වර්ධන ක්රමය	වී.ජී.එෆ්	වී.ජී.එෆ්	වී.ජී.එෆ්	වී.ජී.එෆ්
4	සන්නායක වර්ගය	N-Type/Si හෝ Te-doped, P-Type/Zn-doped, Semi-Insulating/Un-doped
5	දිශානතිය	(100) ± 0.5°	(100) ± 0.5°	(100) ± 0.5°	(100) ± 0.5°
6	ඝනකම μm	350±25	625±25	625±25	650±25
7	දිශානතිය පැතලි මි.මී	17± 1	22± 1	32± 1	නොච්
8	හඳුනාගැනීම පැතලි මි.මී	7± 1	12± 1	18± 1	-
9	ප්රතිරෝධකතාව Ω-සෙ.මී	(1-9)E(-3) p-type හෝ n-type සඳහා, (1-10)E8 අර්ධ පරිවාරක සඳහා
10	සංචලතාව cm2/vs	p-වර්ගය සඳහා 50-120, (1-2.5) n-වර්ගය සඳහා E3, අර්ධ පරිවාරක සඳහා ≥4000
11	වාහක සාන්ද්රණය cm-3	(5-50)p-වර්ගය සඳහා E18, (0.8-4)E18 n-වර්ගය සඳහා
12	TTV μm උපරිම	10	10	10	10
13	දුන්න μm උපරිම	30	30	30	30
14	Warp μm උපරිම	30	30	30	30
15	EPD cm-2	5000	5000	5000	5000
16	මතුපිට නිමාව	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
17	ඇසුරුම් කිරීම	ඇලුමිනියම් සංයුක්ත බෑගයක මුද්‍රා තැබූ තනි වේෆර් කන්ටේනරය.
18	අදහස්	යාන්ත්‍රික ශ්‍රේණියේ GaAs වේෆරය ඉල්ලීම මත ද ඇත.

රේඛීය සූත්රය	GaAs
අණුක බර	144.64 කි
ස්ඵටික ව්යුහය	සින්ක් මිශ්රණය
පෙනුම	අළු ස්ඵටිකරූපී ඝන
ද්රවාංකය	1400°C, 2550°F
තාපාංකය	N/A
ඝනත්වය 300K	5.32 g / සෙ.මී³
බලශක්ති පරතරය	1.424 eV
ආවේණික ප්රතිරෝධය	3.3E8 Ω-සෙ.මී
CAS අංකය	1303-00-0
EC අංකය	215-114-8

Gallium Arsenide GaAsWestern Minmetals (SC) Corporation හි 2” 3” 4” සහ 6” (50mm, 75mm, 100mm) ප්‍රමාණයේ කැපූ, එච්චා, ඔප දැමූ, හෝ අපි-සූදානම් වේෆර්වල බහු ස්ඵටිකරූපී ගැටිත්තක් හෝ තනි ස්ඵටික වේෆරයක් ලෙස සැපයිය හැකිය. , 150mm) විෂ්කම්භය, p-type, n-type හෝ අර්ධ පරිවාරක සන්නායකතාවය සහ <111> හෝ <100> දිශානතිය සමඟ.අභිරුචිකරණය කළ පිරිවිතර ලොව පුරා සිටින අපගේ ගනුදෙනුකරුවන්ට පරිපූර්ණ විසඳුමකි.