Cadmium Arsenide Cd3As2 | GaAs InAs Nb3As2 Featured Image

කැඩ්මියම් ආර්සෙනයිඩ් සීඩී₃As₂|GaAs InAs Nb₃As₂

විස්තර

කැඩ්මියම් ආර්සෙනයිඩ් සීඩී₃As₂5N 99.999%,තද අළු පැහැය, ඝනත්වය 6.211g/cm³, ද්රවාංකය 721°C, අණු 487.04, CAS12006-15-4, නයිට්රික් අම්ලය HNO හි ද්රාව්ය₃ සහ වාතයේ ස්ථායීතාවය, ඉහළ සංශුද්ධතාවයකින් යුත් කැඩ්මියම් සහ ආසනික් සංශ්ලේෂණය කරන ලද සංයෝග ද්රව්යයකි.Cadmium Arsenide යනු II-V පවුලේ අකාබනික අර්ධ ලෝහයක් වන අතර Nernst Effect ප්‍රදර්ශනය කරයි.බ්‍රිජ්මන් වර්ධක ක්‍රමය මගින් වගා කරන ලද කැඩ්මියම් ආර්සෙනයිඩ් ස්ඵටික, ස්ථර නොවන තොග ඩිරැක් අර්ධ ලෝහ ව්‍යුහය, පරිහානියට පත් වූ N-වර්ග II-V අර්ධ සන්නායකයක් හෝ ඉහළ වාහක සංචලතාව, අඩු-ඵලදායී ස්කන්ධයක් සහ ඉහළ පරාවලීය නොවන සන්නායකයක් සහිත පටු-පරතර අර්ධ සන්නායකයකි. සංගීත කණ්ඩායම.කැඩ්මියම් ආර්සෙනයිඩ් සීඩී₃As₂හෝ CdAs යනු ස්ඵටිකරූපී ඝනයක් වන අතර අර්ධ සන්නායකයක සහ Nernst ආචරණය භාවිතා කරන අධෝරක්ත අනාවරක වැනි ඡායා දෘශ්‍ය ක්ෂේත්‍රය තුළ, තුනී පටල ගතික පීඩන සංවේදක, ලේසර්, ආලෝක විමෝචක ඩයෝඩ LED, ක්වොන්ටම් තිත්, සඳහා වැඩි වැඩියෙන් යෙදීම් සොයා ගනී. magnetoresistors සහ photodetectors තුළ සාදන්න.Arsenide GaAs, Indium Arsenide InAs සහ Niobium Arsenide NbAs හෝ Nb වල Arsenide සංයෝග₅As₃විද්‍යුත් විච්ඡේදක ද්‍රව්‍ය, අර්ධ සන්නායක ද්‍රව්‍ය, QLED සංදර්ශකය, IC ක්ෂේත්‍රය සහ අනෙකුත් ද්‍රව්‍ය ක්ෂේත්‍ර ලෙස වැඩි යෙදුම් සොයා ගන්න.

භාරදීම

කැඩ්මියම් ආර්සෙනයිඩ් සීඩී₃As₂සහ Gallium Arsenide GaAs, Indium Arsenide InAs සහ Niobium Arsenide NbAs හෝ Nb₅As₃Western Minmetals (SC) Corporation හි 99.99% 4N සහ 99.999% 5N සංශුද්ධතාවය සහිත බහු ස්ඵටික ක්ෂුද්‍ර කුඩු -60mesh, -80mesh, nanoparticle, glump 1-20mm, granule 1-6mm, chunk, තනි, bulk crystal etc. ., හෝ පරිපූර්ණ විසඳුම වෙත ළඟා වීමට අභිරුචි කළ පිරිවිතර ලෙස.

දැන් විමසන්න

විස්තර

ටැග්

තාක්ෂණික පිරිවිතර

Arsenide සංයෝග

Arsenide සංයෝග ප්‍රධාන වශයෙන් ලෝහ මූලද්‍රව්‍ය සහ ලෝහමය සංයෝග වෙත යොමු වන අතර, සංයෝග පදනම් වූ ඝණ ද්‍රාවණයක් සෑදීම සඳහා නිශ්චිත පරාසයක් තුළ වෙනස් වන ස්ටොයිකියෝමිතික සංයුතිය ඇත.අන්තර්-ලෝහමය සංයෝගය ලෝහ සහ පිඟන් මැටි අතර එහි විශිෂ්ට ගුණාංග වන අතර නව ව්‍යුහාත්මක ද්‍රව්‍යවල වැදගත් ශාඛාවක් බවට පත්වේ.Gallium Arsenide GaAs වලට අමතරව Indium Arsenide InAs සහ Niobium Arsenide NbAs හෝ Nb₅As₃කුඩු, කැටිති, ගැටිත්ත, බාර්, ස්ඵටික සහ උපස්ථර ආකාරයෙන්ද සංස්ලේෂණය කළ හැක.

නැත.	අයිතමය	සම්මත පිරිවිතර
නැත.	අයිතමය	පිරිසිදුකම	අපිරිසිදු PPM මැක්ස් එක් එක්	ප්රමාණය
1	කැඩ්මියම් ArsenideCd₃As₂	5N	Ag/Cu/Ca/Mg/Sn/Fe/Cr/Bi 0.5, Ni/S 0.2, Zn/Pb 1.0	-60mesh -80mesh කුඩු, 1-20mm ගැටිත්ත, 1-6mm කැටිති
2	Gallium Arsenide GaAs	5N 6N 7N	GaAs සංයුතිය ඉල්ලීම මත ලබා ගත හැකිය
3	Niobium Arsenide NbAs	3N5	NbAs සංයුතිය ඉල්ලීම මත ලබා ගත හැකිය
4	Indium Arsenide InAs	5N 6N	InAs සංයුතිය ඉල්ලීම මත ලබා ගත හැකිය
5	ඇසුරුම් කිරීම	500g හෝ 1000g පොලිඑතිලීන් බෝතලයක හෝ සංයුක්ත බෑගයක, පිටත පෙට්ටි පෙට්ටියක

Gallium Arsenide

Gallium Arsenide GaAs, සින්ක් මිශ්‍ර ස්ඵටික ව්‍යුහයක් සහිත III-V සංයෝග සෘජු-පරතර අර්ධ සන්නායක ද්‍රව්‍යයක්, ඉහළ සංශුද්ධතාවයකින් යුත් ගැලියම් සහ ආසනික් මූලද්‍රව්‍ය මගින් සංස්ලේෂණය කර ඇති අතර, සිරස් ග්‍රේඩියන්ට් ෆ්‍රීස් (VGF) ක්‍රමය මගින් වගා කරන ලද තනි ස්ඵටික ඉන්ගෝට් වලින් පෙති කපා, වේෆර් සහ හිස් බවට සැකසිය හැක. .එහි සංතෘප්ත ශාලාවේ සංචලතාව සහ අධි බල සහ උෂ්ණත්ව ස්ථායීතාවයට ස්තූතිවන්ත වන අතර, එම RF සංරචක, මයික්‍රෝවේව් IC සහ LED උපාංග සියල්ලම ඒවායේ ඉහළ සංඛ්‍යාත සන්නිවේදන දර්ශනවල විශිෂ්ට කාර්ය සාධනයක් ලබා ගනී.මේ අතර, එහි UV ආලෝක සම්ප්‍රේෂණ කාර්යක්ෂමතාවය ප්‍රකාශ වෝල්ටීයතා කර්මාන්තයේ ඔප්පු කරන ලද මූලික ද්‍රව්‍යයක් වීමට ද ඉඩ සලසයි.Western Minmetals (SC) Corporation හි Gallium Arsenide GaAs වේෆර් 6" හෝ 150mm දක්වා විෂ්කම්භයකින් 6N 7N සංශුද්ධතාවයෙන් යුක්ත වන අතර Gallium Arsenide යාන්ත්‍රික ශ්‍රේණියේ උපස්ථරයක් ද ලබා ගත හැක. මේ අතර Gallium Arsenide බහු ස්ඵටික තීරුව, ගැටිත්ත සහ කැටය ආදිය ද ඇත. Western Minmetals (SC) Corporation වෙතින් සපයන ලද 99.999% 5N, 99.9999% 6N, 99.99999% 7N ද ලබා ගත හැකි හෝ ඉල්ලීම මත අභිරුචි කළ පිරිවිතරයන් ලෙස ඇත.

ඉන්ඩියම් ආර්සෙනයිඩ්

Indium Arsenide InAs, සින්ක් මිශ්‍ර ව්‍යුහය තුළ ස්ඵටිකීකරණය කරන ලද සෘජු කලාප පරතරය අර්ධ සන්නායකයක්, ඉහළ සංශුද්ධතාවයකින් යුත් ඉන්ඩියම් සහ ආසනික් මූලද්‍රව්‍ය මගින් සංයෝග කරන ලද, ද්‍රව එන්කැප්සුලේටඩ් Czochralski (LEC) ක්‍රමය මගින් වගා කරන ලද, තනි ස්ඵටික ඉංගුවකින් පෙති කපා, වේෆර් බවට සාදාගත හැක.අඩු විස්ථාපන ඝනත්වය නමුත් නියත දැලිස් හේතුවෙන්, InAs විෂමජාතීය InAsSb, InAsPSb සහ InNAsSb ව්‍යුහයන් හෝ AlGaSb සුපිරි දැලිස් ව්‍යුහයට තවදුරටත් සහාය වීමට කදිම උපස්ථරයක් වේ.එබැවින්, එය 2-14 μm තරංග පරාසයක අධෝරක්ත විමෝචක උපාංග නිපදවීමේදී වැදගත් කාර්යභාරයක් ඉටු කරයි.මීට අමතරව, InAs හි උත්තරීතර ශාලාවේ සංචලතාව නමුත් පටු බලශක්ති කලාප පරතරය ද එය ශාලා සංරචක හෝ වෙනත් ලේසර් සහ විකිරණ උපාංග නිෂ්පාදනය සඳහා විශිෂ්ට උපස්ථරයක් බවට පත් කිරීමට ඉඩ සලසයි.Indium Arsenide InAs in Western Minmetals (SC) Corporation හි සංශුද්ධතාවය 99.99% 4N, 99.999% 5N, 99.9999% 6N විශ්කම්භය 2" 3" 4" උපස්ථරයක් තුළ ලබා දිය හැක. මේ අතර, Indium Arsenide polycrystalline glump at Western Minmetals (SC) ) සංස්ථාව ද පවතී හෝ ඉල්ලීම මත අභිරුචි කළ පිරිවිතර.

Niobium Arsenide

Niobium Arsenide Nb₅As₃ or NbAs,සුදු හෝ අළු ස්ඵටිකරූපී ඝන, CAS No.12255-08-2, සූත්‍ර බර 653.327 Nb₅As₃සහ 167.828 NbAs, NbAs,Nb5As3, NbAs4...ආදී සංයුතිය සමඟ නයෝබියම් සහ ආසනික් වල ද්විමය සංයෝගයක් වන අතර CVD ක්‍රමය මගින් සංස්ලේෂණය කරන ලද මෙම ඝන ලවණ ඉතා ඉහළ දැලිස් ශක්තීන් ඇති අතර ආසනික් වල ආවේනික විෂ බව නිසා විෂ වේ.ඉහළ උෂ්ණත්ව තාප විශ්ලේෂණය මගින් NdAs රත් වූ විට ආසනික් වාෂ්පීකරණය පෙන්නුම් කරයි. Niobium Arsenide, Weyl semimetal, යනු අර්ධ සන්නායක, ෆොටෝ ඔප්ටික්, ලේසර් ආලෝක විමෝචක ඩයෝඩ, ක්වොන්ටම් තිත්, දෘශ්‍ය සහ පීඩන සංවේදක, අතරමැදි ලෙස සහ සුපිරි සන්නායක නිෂ්පාදනය සඳහා යෙදෙන අර්ධ සන්නායක සහ ප්‍රකාශ විද්‍යුත් ද්‍රව්‍යයකි. Niobium Arsenide Nb.₅As₃හෝ Western Minmetals (SC) Corporation හි NbAs 99.99% 4N සංශුද්ධතාවයකින් යුත් කුඩු, කැටිති, ගැටිත්ත, ඉලක්ක සහ තොග ස්ඵටික යනාදිය හෝ අභිරුචි කළ පිරිවිතරයන් ලෙස ලබා දිය හැකි අතර, ඒවා හොඳින් වසා, ආලෝකයට ඔරොත්තු දෙන ස්ථානයක තබා ගත යුතුය. , වියළි සහ සිසිල් ස්ථානය.