FZ NTD සිලිකන් වේෆර්

විස්තර

FZ-NTD සිලිකන් වේෆර්, Float-Zone Neutron Transmutation Doped Silicon Wafer ලෙස හැඳින්වේ.ඔක්සිජන් රහිත, ඉහළ සංශුද්ධතාවය සහ ඉහළම ප්රතිරෝධක සිලිකන් ලබා ගත හැක by Float-zone FZ (කලාප-පාවෙන) ස්ඵටික වර්ධනය, High resistivity FZ සිලිකන් ස්ඵටිකය බොහෝ විට මාත්‍රණය කරනු ලබන්නේ නියුට්‍රෝන පරිවර්තන උත්තේජක (NTD) ක්‍රියාවලිය මගිනි, එහිදී නියුට්‍රෝන පරිවර්තන මාත්‍රණය (NTD) ක්‍රියාවලියේදී, නියුට්‍රෝන සමඟ සිරවී ඇති සිලිකන් සමස්ථානික සෑදීම සඳහා නියුට්‍රෝන ප්‍රකිරණය කිරීම සහ මාත්‍රණ ඉලක්කය සපුරා ගැනීම සඳහා අපේක්ෂිත මාත්‍රණ බවට ක්ෂය වීම.නියුට්‍රෝන විකිරණ මට්ටම සීරුමාරු කිරීම හරහා බාහිර මාත්‍රාවන් හඳුන්වා නොදී ප්‍රතිරෝධය වෙනස් කළ හැකි අතර එම නිසා ද්‍රව්‍ය සංශුද්ධතාවය සහතික කරයි.FZ NTD සිලිකන් වේෆර් (Float Zone Neutron Transmutation Doping Silicon) ඒකාකාර මාත්‍රණ සාන්ද්‍රණයේ සහ ඒකාකාර රේඩියල් ප්‍රතිරෝධක ව්‍යාප්තියේ වාරික තාක්ෂණික ගුණ ඇත, අවම අපිරිසිදු මට්ටම්,සහ ඉහළ සුළුතර වාහක ජීවිත කාලය.

භාරදීම

පොරොන්දු වූ බල යෙදවුම් සඳහා NTD සිලිකන් වෙළඳපල ප්‍රමුඛ සැපයුම්කරුවෙකු ලෙස, සහ උසස් තත්ත්වයේ මට්ටමේ වේෆර් සඳහා වැඩිවන ඉල්ලුම අනුගමනය කරමින්, උසස් FZ NTD සිලිකන් වේෆර්Western Minmetals (SC) Corporation හි ලොව පුරා සිටින අපගේ ගනුදෙනුකරුවන්ට 2″, 3″, 4″, 5″ සහ 6″ විෂ්කම්භය (50mm, 75mm, 100mm, 125mm සහ 150mm) සහ පුළුල් පරාසයක ප්‍රතිරෝධය දක්වා විවිධ ප්‍රමාණවලින් පිරිනැමිය හැකිය. 5 සිට 2000 ohm.cm දක්වා <1-1-1>, <1-1-0>, <1-0-0> දිශානතිය ෆෝම් පෙට්ටියේ හෝ කැසට් පැකේජයේ කැපූ, ලැප් කරන ලද, කැටයම් කළ සහ ඔප දැමූ මතුපිට නිමාව , හෝ පරිපූර්ණ විසඳුම සඳහා අභිරුචි කළ පිරිවිතර ලෙස.

දැන් විමසන්න

විස්තර

ටැග්

තාක්ෂණික පිරිවිතර

FZ NTD සිලිකන් වේෆර්

පොරොන්දු වූ බල යෙදුම් සඳහා FZ NTD සිලිකන් වෙළඳපල ප්‍රමුඛ සැපයුම්කරුවෙකු ලෙස සහ ඉහළ ගුණාත්මක මට්ටමේ වේෆර් සඳහා වැඩිවන ඉල්ලුම අනුව, Western Minmetals (SC) සංස්ථාවේ උසස් FZ NTD සිලිකන් වේෆර් ලොව පුරා විවිධ ප්‍රමාණයන්ගෙන් 2 සිට විවිධ ප්‍රමාණවලින් පිරිනැමිය හැකිය. ″ සිට 6″ දක්වා විෂ්කම්භය (50, 75, 100, 125 සහ 150mm) සහ <1-1-1>, <1-1-0>, <1-0- හි පුළුල් පරාසයක ප්‍රතිරෝධක 5 සිට 2000 ohm-cm දක්වා 0> ෆෝම් පෙට්ටියේ හෝ කැසට් පටයේ පැකේජයේ, පිටත පෙට්ටි පෙට්ටියේ හෝ පරිපූර්ණ විසඳුම සඳහා අභිරුචිකරණය කළ පිරිවිතරයන් තුළ ලැප් කරන ලද, කැටයම් කළ සහ ඔප දැමූ මතුපිට නිමාව සහිත දිශානතිය.

නැත.	අයිතම	සම්මත පිරිවිතර
1	ප්රමාණය	2"	3"	4"	5"	6"
2	විෂ්කම්භය	50.8± 0.3	76.2±0.3	100± 0.5	125± 0.5	150± 0.5
3	සන්නායකතාව	n-වර්ගය	n-වර්ගය	n-වර්ගය	n-වර්ගය	n-වර්ගය
4	දිශානතිය	<100>, <111>, <110>
5	ඝනකම μm	279, 381, 425, 525, 575, 625, 675, 725 හෝ අවශ්‍ය පරිදි
6	ප්රතිරෝධකතාව Ω-සෙ.මී	36-44, 44-52, 90-110, 100-250, 200-400 හෝ අවශ්‍ය පරිදි
7	RRV උපරිම	8%, 10%, 12%
8	TTV μm උපරිම	10	10	10	10	10
9	Bow/Warp μm උපරිම	30	30	30	30	30
10	වාහක ජීවිත කාලය μs	>200, >300, >400 හෝ අවශ්‍ය පරිදි
11	මතුපිට නිමාව	කපා, ලැප්, ඔප දැමූ
12	ඇසුරුම් කිරීම	ඇතුළත පෙණ පෙට්ටිය, පිටත පෙට්ටි පෙට්ටිය.

මූලික ද්රව්ය පරාමිතිය

සංකේතය	Si
පරමාණුක අංකය	14
පරමාණුක බර	28.09
මූලද්රව්ය කාණ්ඩය	මෙටලොයිඩ්
කණ්ඩායම, කාලසීමාව, අවහිර කිරීම	14, 3, පී
ස්ඵටික ව්යුහය	දියමන්ති
වර්ණ	තද අළු
ද්රවාංකය	1414°C, 1687.15 K
තාපාංකය	3265°C, 3538.15 K
ඝනත්වය 300K	2.329 g/cm³
ආවේණික ප්රතිරෝධය	3.2E5 Ω-සෙ.මී
CAS අංකය	7440-21-3
EC අංකය	231-130-8

FZ-NTD සිලිකන් වේෆර්අධි බල, අනාවරක තාක්ෂණයන් සහ අර්ධ සන්නායක උපාංගවල යෙදීම් සඳහා අතිශයින් වැදගත් වේ ට්‍රාන්සිස්ටර GTR, පරිවාරක-ගේට් බයිපෝලර් ට්‍රාන්සිස්ටර IGBT, අමතර HV ඩයෝඩ PIN.FZ NTD n-type silicon Wafer විවිධ සංඛ්‍යාත පරිවර්තක, සෘජුකාරක, විශාල බල පාලන මූලද්‍රව්‍ය, නව බල ඉලෙක්ට්‍රොනික උපාංග, ඡායාරූප ඉලෙක්ට්‍රොනික උපාංග, සිලිකන් සෘජුකාරක SR, සිලිකන් පාලන SCR සහ කාච සහ ජනෙල් වැනි දෘශ්‍ය සංරචක සඳහා ප්‍රධාන ක්‍රියාකාරී ද්‍රව්‍ය ලෙස ද වේ. terahertz යෙදුම් සඳහා.